Vishay推出了业界第一款AEC-Q101合格的12 V和20 V mosfet双非对称电源包。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP n通道TrenchFET器件都将高侧和低侧MOSFET组合在紧凑的5 mm×6 mm PowerPAK SO-8L双非对称封装中，低侧最大导通电阻可低至3.3 毫欧。

co-packaging两个场效应管在非对称方案,与一个更大的下部MOSFET低导通电阻和小型高端MOSFET更快切换、12 V SQJ202EP 20 V SQJ200EP提供高性能的替代标准双设备,这对大电流限制MOSFET的优化组合,高频同步巴克的设计。与使用分立元件相比，该器件占用更少的电路板空间，可以促进更紧凑的PCB布局。

该设备可提供+175°C的高温操作，以提供汽车应用所需的坚固性和可靠性，如信息娱乐、远程信息处理、导航和LED照明。SQJ202EP非常适用于总线电压小于或等于8 V的应用场合，为2沟道低侧MOSFET提供极低的最大导通电阻(低至3.3 毫欧)。对于总线电压较高的应用，20v SQJ200EP的最大导通电阻略高，为3.7 毫欧。这两部分都经过100%的栅极电阻和雪崩测试，它们符合rohs和无卤素。