P6KE200A是瞬态电压抑制器（TVS）二极管，可通过钳位动作提供高过压保护。它对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合于保护诸如MOS Technology和低压供电IC之类的电压敏感设备。对于P6KE200A二极管，击穿电压范围为190V至210V，钳位电压为246V。

Littelfuse的SC11xx系列ESD雪崩TVS二极管可以提供80a 8/20 μs (SC1105-01UTG)浪涌电流和非常低的箝位电压

22日，全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)邀请多家国内行业媒体，宣布推出01005尺寸(0402mm)业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。ROHM(深圳)分立元器件部高级经理水原德健介绍，该新产品与以往的0201尺寸(0603mm) 相比，面积缩减了56%，体积缩减了81...

Microchip Technology Inc.推出了扩展的瞬态电压抑制器（TVS）垂直阵列产品组合-MDA3KP瞬态电压抑制器（TVS）。该MDA3KP TVS系列包括超过25个3千瓦二极管具有不同的筛选水平，极性和资格标准，它是唯一可用的技术，提供全面的电压范围内测试基于在MIL-PRF-高可靠性标准和合格19500 JANTX级等效标准–提供了集成的多二极管解决方案。

安森美半导体ON Semiconductor NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管旨在保护高速数据线免受ESD以及车辆电池短路的影响。这些二极管具有超低电容和低ESD钳位电压的特点

Littelfuse SC1333 8pF 30kV双向离散TVS二极管可为电子设备提供高静电放电（ESD）保护。背对背二极管使用专有的硅雪崩技术制造，并为数据线提供对称的ESD保护。

美国力特Littelfuse SLD5S单向表面贴装TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受ESD，EFT和10/1000浪涌事件的影响。SLD5S组件还可以保护电感性负载开关电压瞬态事件，以应对严重的汽车负载突降应用。

USBLC6是单片应用专用TVS二极管阵列专用于高速接口，诸如USB2.0，以太网链路，和视频线的ESD保护。USBLC6的漏电流极低（最大值为150nA），使其非常适合电池供电的设备。

SM712 TVS二极管阵列被专门用于保护多点数据传输的标准RS-485的应用程序由于静电放电（ESD），电快速瞬变（EFT）（-7V至12V）免受损坏，和闪电感应浪涌。SM712的击穿电压和钳位电压分别为13.3V和26V。