3月14日，上海新阳发布公告称，拟与合作方共同投资设立子公司“上海新纳微电子材料有限公司”（最终名称以实际工商登记为准，以下简称“新纳微电子”）开展 193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。

       公告显示，该项目计划总投资2亿元人民币，资金来源为项目发起单位自筹。项目公司位于上海市松江区思贤路3600号上海新阳半导体材料股份有限公司现有厂区内，注册资本为1亿元，上海新阳以现金出资8000万元，占新纳微电子股权的80%；邓海博士技术团队出资2000万元，占新纳微电子股权的20%。

新纳微电子股权结构表

        在集成电路制造部分，尽管光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，拥有很大的市场前景。

        但同时，光刻胶产品在集成电路材料中的技术难度最大，质量要求最高。尤其是本项目所要开发的 193nm(ArF)高端光刻胶在国内一直是空白，技术和产品一直掌握在国外几大专业厂商手中，国内有多家公司和科研机构历经多年开发与探索，始终未能突破。

      公告称，本次对外投资通过组建与集成电路行业国际先进水平接轨的技术和管理人才团队、开展研发高端集成电路制造用 193nm干法光刻胶研发与产业化项目，形成规模化生产能力，填补国内高端光刻胶材料产品的空白，丰富公司半导体材料产品线，为经营业绩的提升打下基础，为中国半导体产业的长远发展做出贡献。

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