在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。

       美光指出，继目前在新加坡拥有Fab 10N、Fab 10X两座NAND Flash快闪存储器工厂之后，将在当地兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约16．5万平方米，计划2019年年中前后完工，2019年第4季开始投产。

     不过，美光没有公布新工厂的具体投产NAND Flash快闪存储器类型和产能。但是，根据外界的预估，其投产的NAND Flash快闪存储器产品类型，应该是现有64层堆叠快闪存储器的下一代产品。

      另外，美光除了宣布将在新加坡兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂之外，美光还表示，将在新加坡扩大当前的研发规模，这将使得当地员工总数，有望从目前的7，500人增加到1万人以上。

      除了美光在NAND Flash快闪存储器的发展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的台中工厂也因为供氮设备出现电路问题，发生氮气供应故障的情况，影响到部分的产品。对此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法说会也已经证实此事。

       Sanjay Mehrotra表示，氮气供应受阻事件恐将导致美光本季DRAM产出减少2％到3％。而美光已经将相关故障设备被送往美国进行维修，并于日前重新回到工厂，并且在4月份开始重新投入生产的工作。

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