因英特尔 14 nm x86 CPU 产能短缺，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，但加上 3D NAND 闪存转到 96 层及 DRAM 内存转到 19 nm以下制程工艺的产能增加，预估明年内存 DRAM (23-25% 供给 vs. 20%需求)和闪存 NAND (43-45% 供给 vs. 40%需求)将会有 3-5% 的供过于求，价格将走低趋势。

我们预期在未来 12 个月内，DRAM 内存每位元现货价格 (bit price)同比将衰退超过 20%，NAND 闪存现货价格 同比将衰退超过 40%，而将造成 2019 年整体存储器芯片产业同比衰退5-9% 及全球半导体产业同比衰退 1-4%（但逻辑芯片将持续成长）。 

我们的预估是比存储器产业研究机构 DRAMeXchange 对2019年存储器芯片产业5%的同 比成长预估（DRAM 7% 同比成长，NAND 同比零成长）来的悲观许多，但 DRAMeXchange 上周五最新出炉的报告也因近期供过于求，而下修今年Q4的 DRAM 合约价格预期，从 1-3%价格环比下跌下修到 5%的 价格下跌。 

虽然存储器价格下滑趋势确立，但我们预估此次下滑趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 nm x86 CPU 短缺状况应会于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 应于2019年下半年量产， AMD 7 nm x86 CPU, 7 nm挖矿机及智慧手机，5G 手机都将于2019年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑，但却不至于步入亏损。