不出预料，三星（Samsung）在“Samsung晶圆代工论坛2019”以3nm产品为主打，最新的MBCFET架构成为众所瞩目焦点，此产品将在2019年最新建成的华城EUV专线上生产。除了最进阶的技术值得关注外，Samsung也提到2019年将顺利推出18FDS服务以进军eMRAM市场。

Samsung号称2021年将以3nm超越对手

Samsung Electronics在美国硅谷的Samsung Foundry Forum 2019上，抢先台积电揭露自家最先进3nm制程技术路线，相较于2019年量产的7nm，3GAE可望进一步提升35%性能、降低50%功耗、减少45%面积。

事实上，Samsung与台积电一直把对方视为最主要竞争对手，2019上半年更愈演愈烈，除在4～5月间相继发布7/6/5nm进程，连未来技术的发布时间都可以成为比拼项目，Samsung此次率先发布自家3nm进度，更号称能快于台积电、Intel之前量产，估计台积电很快就会做出回应。

华城EUV专线成Samsung第6条晶圆代工产线

自7nm开始，EUV光刻的投资成为台积电、Samsung每年编列资本支出时最重要的考量环节，Samsung投资13亿美元于华城EUV专线，在2019年第二季建设完成后将逐步移入机台，据Samsung官方资讯，2019年Samsung将有6条晶圆代工产线，以2条封测代工产线（分别位于苏州及安阳）为全球芯片客户服务。

Samsung押宝18FDS值得关注

虽然不及3nm产品线抢眼，Samsung依然特别提到其18FDS有望于2019年取得不错进展。事实上，晶圆代工厂商当中最大力推广FD-SOI平台的厂商当属Globalfoundries，不过该平台锁定的12～28nm市场已被台积电等厂商以成熟的FinFET、HKMG等相关产品把持，FD-SOI技术因苦于市场规模不足无法达到合适的经济效益，此一现象间接导致独压此平台的Globalfoundries在晶圆代工市场节节败退。

而Samsung身为同时布局FinFET、FD-SOI两技术的代表性晶圆代工厂商，其18/28FDS的未来走向自然值得观察，期望5G生态系养成后所需的低功耗芯片市场，能为FD-SOI平台带来及时雨。