Vishay Intertechnology，Inc .在6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单个单元中推出了新型80 V TrenchFET Gen IV n-通道功率MOSFET。

Vishay Siliconix SiR680ADP旨在通过提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率来节省能源，具有  129mΩ的  同类最佳的导通电阻乘以栅极电荷-功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）。 * nC。

所发布的器件在10 V时具有低至2.35mΩ（典型值）的导通电阻，55 nC的超低栅极电荷和614 pF的C OSS。对这些规格进行了微调，以减少开关，通道传导和二极管传导引起的功率损耗，从而提高了效率。MOSFET的导通电阻乘以栅极电荷FOM比最接近的竞争产品低12.2％，比上一代器件低22.5％，使其成为典型的48 V输入至12 V输出DC / DC转换器的最有效解决方案。

SiR680ADP将成为各种DC / DC和AC / DC转换应用的基础，例如同步整流，一次侧开关，降压-升压转换器，谐振储能开关转换器以及系统中的OR-ing功能。例如电信和数据中心服务器电源；太阳能微型逆变器；电动工具和工业设备中的电机驱动控制；电池管理模块中的电池切换。

该MOSFET是100％R g ^ -和UIS测试，符合RoHS标准，并且不含卤素。SiR680ADP的样品和量产批量现已提供，交货期为12周。

新型30 V p-channel MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc.最近还推出了新型30 V p沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET，该器件在3.3毫米x 3.3毫米的耐热性得到改进的PowerPAK 1212-中，在10 V时具有业界低的3.5mΩ导通电阻。 8S封装是172mΩ* nC的栅极导通电荷（开关应用中使用的MOSFET的显着品质因数（FOM）），是同类产品中最佳导通电阻时间的扩展。

节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专为提高功率密度而设计，比采用6 mm x 5 mm封装的具有类似导通电阻的机器小65％。

所交付的MOSFET的导通电阻比上一代解决方案低26％，比市场上第二好的产品便宜35％，并且其FOM比最接近的竞争产品低15％。这些业界最佳的优势导致减少了传导和开关需求，从而节省了能源并增加了便携式电子产品的电池运行时间，同时减少了电源路径上的电压降，以防止虚假触发。

该器件的紧凑尺寸使其更适合应用于PCB面积有限的设计中。SiSS05DN凭借其行业标准的占位面积，可为采用5 V至20 V输入电源轨的应用中的现有零件提供直接升级。MOSFET非常适合适配器和负载开关，反极性保护以及电池供电设备，电池充电器，计算机，消费类电子产品，电信设备等中的电机驱动命令。

该系统经过100％RG和UIS测试，符合RoHS要求，并且不含卤素。还提供SiSS05DN的样品和量产批量，交货周期为12周，取决于市场情况。