电路保护，电源控制和传感技术的全球制造商 Littelfuse，Inc.已推出了门驱动评估平台（GDEV）。新的评估平台可帮助设计人员评估SiC MOSFET，SiC肖特基二极管和其他外围组件（例如栅极驱动器电路）。目的是使设计人员更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下在转换器应用中的表现。

Littelfuse功率控制总监Corey Deyalsingh表示：“栅极驱动评估平台（GDEV）是SiC技术产品组合的重要补充，因为SiC仍相对较新，并且在各种条件下的运行特性尚有一些未知数。”

与大多数其他SiC评估平台不同，GDEV提供了快速连接的插头引脚端子，可以快速而一致地比较不同的栅极驱动电路。GDEV支持800 V DC链路输入电压和高达200 kHz的开关频率。

“ GDEV帮助工程师了解SiC器件的工作特性，” Deyalsingh补充说。“利用该评估平台，设计师将更好地了解SiC技术带来的难以置信的节能机会。有了这些知识，我们预计设计师将更有可能将SiC纳入他们的未来设计中。”

GDEV的典型市场和应用包括：

汽车EC / HEV充电站

工业电源

数据中心服务器

电信基站

太阳能和风能逆变器

Littelfuse的Gate Drive评估平台使用户能够：

评估SiC功率MOSFET和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行，为负载提供有功功率。

分析与基于SiC的设计相关的系统级影响，包括效率提高，EMI排放和无源组件（尺寸，重量，成本）。

在定义明确和优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能。

在连续工作条件下测试栅极驱动电路，以评估栅极驱动器的热性能和EMI抗扰性。

要了解更多信息，请阅读《  Gate Drive Evaluation Platform应用指南》。

可以通过全球授权的Littelfuse分销商提出门驱动器评估平台（LF-SIC-EVB-GDEV1）的可用性请求。有关Littelfuse分销商的列表，请访问  Littelfuse。com。