United SiC推出了一系列UF3C / SC SiC FETS，它们经过改进后可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗，而漏源电阻仅为7/9mΩ。这些新型FET为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了嵌入式替代解决方案。这有助于设计人员升级系统以获得更高的性能和效率，而无需更改现有的栅极驱动器电路。可以基于Qrr降低50％来降低导通损耗。对于大电流应用，需要小型，低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。

UF3C / SC SiC FET的功能

650V和1200V

低RDS（on）从7mohm到150mohm

出色的体二极管性能（Vf <2V）

用任何Si和/或SiC栅极驱动电压驱动

集成式ESD和栅极保护

全套行业标准套件– TO-220-3L，D2PAK-3L，DFN8X8，TO-247-3L和-4L（开尔文）