United SiC推出了一系列UF3C / SC SiC FETS，它们经过改进后可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗，而漏源电阻仅为7/9mΩ。这些新型FET为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了嵌入式替代解决方案。这有助于设计人员升级系统以获得更高的性能和效率，而无需更改现有的栅极驱动器电路。可以基于Qrr降低50％来降低导通损耗。对于大电流应用，需要小型，低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。

东芝SSM6N951L场效应晶体管（FET）是2kV级HBM硅N沟道MOS型晶体管，具有低导通电阻。该晶体管提供12V的源极至源极击穿电压，±8V的栅极至源极电压以及150°C的通道温度。

基于一个独特的'cascode'电路配置和功能优良的反向恢复。

通用150V, 3.9毫欧氮化镓(GaN)场效应管VQFN封装。

达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004提供先进的场效应晶体管保护，更高的性能，和低电流运行

EPC公司的EPC2067是一款40 V eGaN FET，具有最先进的功率密度

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531 与 UCC275...

提供650V漏源极电压，47.2A漏源额定电流和41毫欧最大电阻。

使用Transphorm公司第四代平台的正常关闭设备。

EPC的eGan FET设计工程师是一个小的，有效的，可靠的，低成本的解决方案在一个小的包

UnitedSic推出了UF3C / UF3SC系列SiC FET，该FET基于独特的级联配置设计，可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗。同时，他们还为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了“嵌入式”替换解决方案。这有助于在不更改现有门电路的情况下进行系统升级以获得更高的性能和效率。的接通损耗可以减小基于在的Qrr减少50％。对于大电流使用，需要一个小型，低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。

宜普电源转换公司（EPC）推出内含氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板。EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率。 ...