本文详细介绍了场效应管的使用注意事项。

ON Semiconductor提供适合汽车应用的NVxFS5CxxxN功率场效应管

[导读] 自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。

MCC扩展了他们的功率和小信号mosfet的产品，用于各种应用

场效应管IRF3205中文资料介绍：规格参数、特点、应用领域、引脚图、封装、替代型号、及应用电路图（大功率方波逆变器电路图、 MOSFET驱动电路图）。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低，仅为8.0mΩ，使其适用于诸如逆变器，电机速度控制，DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。

600V mosfet提供高坚固性能和超结技术。

EPC的40v, 3 毫欧 eGaN场效应管具有脉冲电流等级为161 a的小占地面积

IXYS的x级HiPerFET功率mosfet优化软开关谐振模式功率转换应用

[导读] 今天我们来介绍一款逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中

Nexperia的LFPAK56D半桥mosfet提供了60%的低寄生电感和改善的热性能

近年来,功率场效应管（MOSFET）在电源各个领域的应用越来越广泛。然而拥有MOSFET的研发能力的公司仅限于国外的几个半导体巨头，国产场效应管几乎是一片空白。 在这个背景下，深圳市锐骏半导体有限公司投巨资在国外建立了MOSFET半导体研发试验室。首战告捷，去年推出的一颗RU75N08参数为75V...

EPC的80v eGaN FET是更小、更轻、更平稳的电机驱动设计的理想选择

[导读] 不需要场效应管的多路传输开关

提供650V漏源极电压，47.2A漏源额定电流和41毫欧最大电阻。