IXYS的1000 V超结x级HiPerFET功率MOSFET功率半导体产品线，现在是Littelfuse的一部分，为软开关功率转换应用进行了优化。它们的导通电阻和门电荷分别低至66毫欧姆和113奈欧姆。

采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的1000v器件具有超低导通电阻、低门极电荷和优越的dv/dt性能。它们的雪崩能力增强了它们的坚固性，防止了由电压瞬变和寄生双极晶体管意外导通引起的器件故障。此外，由于快速体二极管，这些超结mosfet有助于提高效率。每个MOSFET可以替代多个并联的高导通电阻器件，简化设计，提高可靠性，同时节省成本。

非常适合的应用包括高效、高功率密度的应用，如谐振模式电源、交流和直流电机驱动器、DC-DC转换器、机器人和伺服控制、智能仪表、可再生能源逆变器、焊接逆变器和电池充电器。

1000 V x级功率mosfet具有高强度体二极管，可提供国际标准尺寸封装TO-247, PLUS247, TO-268HV, SOT-227, TO-264和PLUS264。零件编号包括IXFH26N100X, IXFT32N100X, IXFK52N100X和IXFN74N100X，当前额定值分别为26 A, 32 A, 52 A和74 A。

特性

• 超低导通电阻R(DS(ON))和门极电荷Qg

• 身体快速二极管

• 优越的dv / dt的性能

• 雪崩能力

• 低包电感

• 国际标准包装

优势

• 更高的效率

• 提高系统的可靠性

• 容易安装

• 节省空间和成本

应用程序

• 谐振式电源

• 交流和直流电机驱动

• 直流-直流转换器

• 机器人和伺服控制

• 智能电表

• 可再生能源逆变器

• 焊接逆变器

• 电池充电器