场效应管IRF3205中文资料介绍

IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低，仅为8.0mΩ，使其适用于诸如逆变器，电机速度控制，DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。

TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3205规格参数

IRF3205特点

·         N沟道功率MOSFET

·         当VGS为10V时，连续漏极电流(ID)为110A

·         最小栅极阈值电压2V

·         漏极至源极击穿电压：55V

·         导通电阻低至8.0mΩ

·         栅极-源极电压(VGS)为±20V

·         上升时间为101ns

·         通常用于电源开关电路

·         采用To-220封装

IRF3205应用领域

·         切换应用

·         升压转换器

·         斩波器

·         太阳能逆变器

·         速度控制

IRF3205引脚图

IRF3205封装

IRF3205替代型号

IRF3205替代型号有：IRF1405，IRF1407，IRF3305，IRFZ44N，IRFB3077，IRFB4110等

IRF3205应用电路图

irf3205大功率方波逆变器电路图

本逆变器是高频逆变器，彻底摒弃了笨重的工频变压器，不仅减小了体积，而且提高了效率，还没有工频变压器发出的嗡嗡声。本逆变器是典型的高频逆变工频输出结构：DC-AC-DC-AC结构（12VDC-330VAC0 30KHz-330VDC-230VAC 50HZ）。本逆变器设有稳压和输出过流保护功能。

irf3205 MOSFET驱动电路图

驱动电路就是一个电阻R17和一个三极管Q4，当MCU_IO是高电平1的时候，三极管导通，MOSFET的门极电压降低到低电平，此时MOSFET关闭，当MCU_IO是低电平的时候，三极管Q4关闭，此时MOSFET导通。
 

irf3205 MOSFET驱动电路图

下图三角形的是运放，我们可以看得出，这个运放现在是充当一个比较器，这个比较器的反向端我给他一个1V的恒定电平（当然，0.5V/1.5V都行），MCU_IO（接单片机的控制端口）如果输出高电平（电压肯定高于1V），比较器的输出结果就接近于VCC。这里需要注意，这个比较器输出的电压到底是多少？此时比较器输出的所谓高电平，其实是比较器的供电电压VCC，你给这个比较器供电电压时多少，此时就输出多少（略小于VCC），比如，这里我们给比较器的供电电压是12V（这也是MOSFET的最佳操作电压），此时比较器输出12V，这个12V就加在MOSFET的门极上，MOSFET就会导通，负载就会通电。这个比较器你可以使用任何运算放大器芯片来搭建，比如LM358/LM324等等。