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Nexperia LFPAK56D网格状的场效应管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-05-12

摘要: Nexperia的LFPAK56D半桥mosfet提供了60%的低寄生电感和改善的热性能


Nexperia的半桥(高边和低边)mosfet系列采用节省空间的LFPAK56D封装格式。与双mosfet相比,这些mosfet在三相电机控制拓扑中占用的PCB面积较低30%,因为在生产过程中可以去除PCB轨迹,同时允许简单的自动化光学检查(AOI)。LFPAK56D半桥采用了现有的大容量LFPAK56D组装工艺,具有可靠的汽车可靠性。封装格式使用灵活的引线,提高整体可靠性。mosfet之间的内部铜夹连接简化了PCB设计,带来了一个即插即用的解决方案,具有特殊的电流处理能力。


特性

  • 由于内部夹接,降低了60%的寄生电感

  • 与LFPAK56D双模相比,PCB节省30%的空间

  • 高性能ID max > 60a

  • 低的热阻

应用程序

  • 手持电动工具、便携式电器和空间受限的应用

  • 无刷或有刷直流电机驱动

  • DC-to-DC系统

  • LED照明


资源

  • AN90003 LFPAK MOSFET热设计指南

  • RC热模型

  • 功率MOSFET常见问题

  • AN90011半桥MOSFET开关及其对EMC的影响

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