Taiwan Semiconductor 600V单N-Ch功率场效应管的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > Taiwan Semiconductor 600V单N-Ch功率场效应管的介绍、特性、及应用

TAIWAN SEMICONDUCTOR 场效应管

Taiwan Semiconductor 600V单N-Ch功率场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-03-08

摘要： 600V mosfet提供高坚固性能和超结技术。

Taiwan Semiconductor 600V单N-Ch功率mosfet提供高坚固性能和超结技术。mosfet工作在高性能由于其小的数字优点，使他们的理想的电源和照明应用。台湾600V单N-Ch功率mosfet可采用TO-252或TO-251封装。

特性

Super-junction技术
由于小的功绩，高性能
高强度性能
高换向性能

ui和R(g)测试100%
通过无铅认证
不含卤素，符合IEC 61249-2-21标准

应用程序

电力供应
AC / DC LED照明

- 252包的风格

TO-251 (IPAK)包装风格

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：美国芯源系统MPS EVQ3364-R-00A评估板的介绍、特性、及应用

下一篇：东芝HN1x双极晶体管的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308