UnitedSiC UF3C SiC fet D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装基于一个独特的共栅电路配置和特点极好的反向恢复。在级联码电路配置中，正常开启的SiC JFET与Si MOSFET共封装，以生产正常关闭的SiC FET器件。这些SiC fet提供低体二极管、低栅电荷和4.8V的阈值电压，允许0V到15V驱动。这些D2-PAK SiC FET器件是ESD保护，并提供包漏电和间隙距离为>6.1mm。fet的标准栅极驱动特性是替代Si igbt、Si fet、SiC mosfet或Si超结。它们可在1200V和650V漏源击穿电压变型中提供，非常适合在任何受控环境中使用，如电信和服务器电源，工业电源，电机驱动器和感应加热。

特性

• D2PAK-3L @ 650V 30毫欧， 40毫欧， 80毫欧

• D2PAK-7L @ 650V 80毫欧和1200V 80毫欧和150毫欧

• 85毫欧典型通电阻R(DS(on))

• 最高工作温度175℃

• 140nC极好的反向回收率(Q(rr))

• 1.5V(FSD)(正向电压)低体二极管

• 23nC低栅电荷

• 4.8 v (G (th))阈值电压

• 6.1mm的包漏电和间隙距离

• 开尔文源引脚优化开关性能

• 防静电保护

应用程序

• 电信和服务器电源

• 工业电源

• 功率因数校正模块

• 马达驱动器

• 感应加热

封装选项

• D2PAK-3L

• D2PAK-7L

资源

• SiC FET设计技巧

• 设计资源

• 产品选择指南