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50毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件,采用4引线TO-247封装。
480毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件,采用5x6 PQFN封装。
240毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件,采用8x8 PQFN封装。
结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。
72毫欧 RDS(on)顶部冷却,表面贴装TOLT封装,符合jedec标准(MO-332)。
Transphorm的功率因数校正(PFC)评估板提供高效率的单相交流/直流转换
Transphorm的JEDEC-qualified Gen IV FETs提供TO-247和PQFN包
使用Transphorm公司第四代平台的正常关闭设备。
Transphorm的GaN FETs通过降低电磁干扰(EMI)和提高噪声抗扰性,实现了更安静的开关
Transphorm的SuperGaN 评估板和套件提供了一个易于使用的平台,可以研究GaN在各种拓扑结构下的优势。
Transphorm TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 70毫欧正常关闭器件,提供卓越的质量和性能。
常断装置,IV代平台,结合了高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。
Transphorm TP65H150BG4JSG 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 150毫欧正常关闭器件,提供卓越的质量和性能。
650V, 70毫欧正常关闭设备,提供卓越的质量和性能。
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