transhorm TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN GaN场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-07-04

摘要： Transphorm TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 70毫欧正常关闭器件，提供卓越的质量和性能。

Transphorm TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 70毫欧正常关闭器件，提供卓越的质量和性能。TP65H070G4LSGB在8mm x 8mm PQFN封装中结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。该器件工作温度范围为-55°C至+150°C，最大功耗为96W，最大连续漏极电流范围为18.a至29A，脉冲漏极电流(最大)为120A。Gen IV SuperGaN 平台采用先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了硅的效率。

特性

第四代科技
通过jedec认证的GaN技术
动态R(DS(on)eff)生产测试
稳健设计，定义为

宽栅极安全裕度
瞬态过电压能力

非常低的Q(RR)

降低交叉损耗
提高了硬开关和软开关电路的效率
易于驱动与常用的栅极驱动器
GSD引脚布局改善了高速设计
8mm × 8mm PQFN封装
无卤素，符合RoHS标准

应用程序

数据通信
广泛的工业
光伏逆变器

伺服电机
消费者
计算

规范

最大漏源电压650V
800V最大瞬态漏源电压
±20V最大栅源电压
3.2V至4.6V栅极阈值电压范围
72毫欧至148毫欧典型漏源导通电阻范围
3µA至12µA的漏源漏极电流范围
±100nA栅源泄漏电流
典型的电容

600 pf输入
74 pf输出
2pF反向转移

8.4nC典型总栅电荷
3.3nC典型栅源电荷
2.3nC栅漏电荷
78nC输出电荷
最大反向电流为16A

1.6V至2.2V典型反向电压范围
+25℃时最大功耗96W
最大连续漏极电流

+25°C下29A
18.4A， +100℃

最大脉冲漏极电流120A
27ns的典型导通延迟
典型上升时间为9ns
典型关断延迟71ns
6.5ns典型下降时间
典型反向恢复时间34ns
-55℃~ +150℃工作温度范围
+260°C最大焊接峰值温度
热阻

1°C / W junction-to-case
62°C / W junction-to-ambient

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