transhorm TP65H150BG4JSG 650V SuperGaN GaN场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-07-04

摘要： Transphorm TP65H150BG4JSG 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 150毫欧正常关闭器件，提供卓越的质量和性能。

Transphorm TP65H150BG4JSG 650V SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管是一种650V, 150毫欧正常关闭器件，提供卓越的质量和性能。TP65H150BG4JSG在5mm x 6mm PQFN封装中结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。该器件工作温度范围为-55℃至+150℃，最大功耗为83W，最大连续漏极电流范围为10A至16A，脉冲漏极电流(最大)为55A。Gen IV SuperGaN 平台采用先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了硅的效率。

特性

第四代科技
通过jedec认证的GaN技术
动态R(DS(on)eff)生产测试
稳健设计，定义为

宽栅极安全裕度
瞬态过电压能力

非常低的Q(RR)

降低交叉损耗
提高了硬开关和软开关电路的效率
易于驱动与常用的栅极驱动器
GSD引脚布局改善了高速设计
5mm x 6mm PQFN封装
无卤素，符合RoHS标准

应用程序

消费者
电源适配器

低功率SMPS
照明

规范

最大漏源电压650V
800V最大瞬态漏源电压
±10V最大栅源电压
2.0V至2.8V栅极阈值电压范围
150毫欧至307毫欧典型漏源导通电阻范围
2.5µA至10µA典型漏源漏电流范围
±100nA栅源泄漏电流
典型的电容

400 pf输入
37 pf输出
1.2pF反向传递

典型总栅极电荷
1.6nC典型栅源电荷
0.8nC栅漏电荷
35nC输出电荷
8.3A最大反向电流

1.2V至1.7V的典型反向电压范围
+25℃时最大功耗83W
最大连续漏极电流

+25°C时16A
+100℃时10A

最大脉冲漏极电流55A
24ns典型导通延迟
3.2ns典型上升时间
22ns典型关断延迟
典型的下降时间为4ns
典型反向恢复时间28.3ns
-55℃~ +150℃工作温度范围
+260°C最大焊接峰值温度
热阻

1.5°C / W junction-to-case
50°C / W junction-to-ambient

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