Transphorm TP65H SuperGaN 650 V 35 毫欧和240 毫欧FETs的介绍、特性及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-08-24

摘要： Transphorm的JEDEC-qualified Gen IV FETs提供TO-247和PQFN包

Transphorm公司的650 V SuperGaN Gen IV fet包括两个坚固的jedecs合格器件。TP65H035G4WS在TO-247封装中提供了典型的导通电阻35 毫欧。TP65H300G4LSG在PQFN88封装中提供了240 毫欧的典型导通电阻。使用SuperGaN fet的电力系统在无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的情况下可以达到99%以上的效率。福利包括约10%的优点;增强涌流能力;并且不再需要在高工作电流下提供开关节点缓冲器，从而更容易设计。

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