Transphorm公司的TP65H050WS和TP65H035WS是Gen III 650 V GaN fet。它们产生更低的电磁干扰，提高门噪声抗扰性，并在电路应用中有更大的净空空间。50 毫欧TP65H050WS和35 毫欧TP65H035WS可在标准TO-247封装。

MOSFET和设计上的改进使第三代器件的阈值电压(噪声抗扰性)从2.1 V(第一代)提高到4 V，从而消除了负栅驱动的需要。栅极可靠性从第II代提高了11%，达到±20 V最大值。这导致了更安静的开关和平台提供性能提高在更高的电流水平与简单的外部电路。

海力电子公司的1600T是一个1600 W，无桥的符号柱平台，使用这些高压GaN fet带来99%的功率因数校正(PFC)效率的电池充电器(电动摩托车，工业和更多)，PC电源，服务器和游戏市场。在1600T硅基平台上使用这些fet的好处包括提高2%的效率和20%的功率密度。

1600T平台采用Transphorm公司的TP65H035WS，以提高硬、软交换电路的效率，并在设计电力系统产品时为用户提供选择。TP65H035WS与常用的栅极驱动器配对，以简化设计。