transhorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-18

摘要： 结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。

Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一种正常关闭的器件，使用Transphorm的Gen IV平台。第四代SuperGaN平台采用先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性。TP65H300G4JSGB GaN场效应管具有650V漏源电压和41.6W的最大功耗，当t (C)=25°C时。典型应用包括消费类电源适配器、低功耗SMPS和照明。

特性

第四代科技
通过jedec认证的GaN技术
动态R(DS(on)eff)生产测试
稳健设计，定义为

宽栅极安全裕度
瞬态过电压能力

非常低的Q(RR)
降低交叉损耗

提高了硬开关和软开关电路的效率

提高功率密度
减小系统尺寸和重量
整体较低的系统成本

符合rohs标准和无卤素包装

规范

650V漏源电压V(DSS)
800V瞬态漏源电压V(DSS(TR))
±10V栅源电压V(GSS)
41.6W最大功耗(P(D)) @T(C)=25℃
连续漏极电流I(D):

@T 9.2 (C) = 25°C
@T 5.8 (C) = 100°C

30A脉冲漏极电流I(DM)(脉冲宽度:10µs)
2V ~ 2.8V栅极阈值电压V(GS)范围
漏源极导通电阻:

240毫欧 ~ 312毫欧 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)
492毫欧 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)

典型电容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

400 pf输入
16 pf输出
0.8pF反向转移

充电(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

3.5nC总栅极电荷
1.4nC栅源电荷
0.64nC栅漏电荷

19nC输出电荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

应用程序

消费者
电源适配器

低功耗smp
照明

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