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摘要： 常断装置，IV代平台，结合了高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。
transhorm 650V 34A GaN(氮化镓)场效应管是使用transhorm的Gen IV平台的正常关闭器件。fet结合了高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。Gen IV SuperGaN 平台采用先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅电荷、输出电容、交叉损耗和反向回收电荷提高了硅的效率。GaN fet具有比传统硅fet更优越的性能，提供更快的开关和更好的热性能。
JEDEC认证的GaN技术
健壮设计，定义为
宽闸门安全裕度
瞬态过电压的能力
动态R(DS(on)eff)生产测试
增强的涌流能力
低Q (RR)
减少交叉损失
数据通信
广泛的工业
光伏逆变器
伺服电机
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