Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有导通电阻R(DS(on)) 72毫欧，典型的顶部冷却，表面贴装TOLT封装符合JEDEC标准MO-332。TOLT封装提供了热管理的灵活性，特别是在系统中，不允许传统的表面贴装设备与底部冷却。TP65H070G4RS是一种正常关闭器件，结合了低压硅MOSFET和高压GaN HEMT技术，提供卓越的可靠性和性能。Gen IV SuperGaN平台利用先进的epi和专利设计技术，通过降低栅极电荷、交叉损耗、输出电容和反向恢复电荷，简化了制造过程，提高了硅的效率。Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET是数据通信，工业，计算和其他应用的理想选择。