Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-18

摘要： 50毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件，采用4引线TO-247封装。

Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一种50毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件，采用4引脚TO-247封装。这款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平台，该平台支持先进的epi和专利设计技术，可简化制造过程。TP65H050G4YS 650V FET结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。这种SuperGaN FET通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了硅的效率。典型的应用包括数据通信、广泛的工业、光伏逆变器和伺服电机。

特性

通过jedec认证的GaN技术
动态R(DS(on)eff)生产测试
稳健设计，定义如下:

宽栅极安全裕度
瞬态过电压能力

增强的涌流能力
非常低的Q(RR)
降低交叉损耗

支持AC-DC无桥图腾柱PFC设计:

提高功率密度
减小系统尺寸和重量
整体较低的系统成本

提高了硬开关和软开关电路的效率
易于驱动与常用的栅极驱动器
GSD引脚布局改善了高速设计

规范

650V漏源电压V(DSS)
800V瞬态漏源电压V(DSS(TR))
±20V栅源电压V(GSS)
132W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃
连续漏极电流I(D):

35一个@T (C) = 25°C
22 @T (C) = 100°C

150A脉冲漏极电流I(DM)(脉冲宽度:10µs)
3.3V ~ 4.8V门限电压V(GS)范围(V(DS)=V(GS)， I(D)=0.7mA)
漏源极导通电阻:

50毫欧 ~ 60毫欧 (V(GS)=10V, I(D)=22A)
105毫欧 (V(GS)=10V, I(D)=22A, T(J)=150℃)

典型电容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

1000 pf输入
110 pf输出
2.7pF反向传递

充电(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

16nC至24nC总栅极电荷
6nC栅源电荷
5nC栅漏电荷

112nC输出电荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)
50kHz至100kHz工作频率范围

应用程序

数据通信
广泛的工业

光伏逆变器
伺服电机

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