transhorm TP65H480G4JSG 650V SuperGaN GaN场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-21

摘要： 480毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件，采用5x6 PQFN封装。

Transphorm TP65H480G4JSG 650V SuperGaN GaN场效应管是一种480毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件，采用5x6 PQFN封装。该GaN场效应管结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。TP65H480G4JSG 650V SuperGaN GaN FET采用Transphorms Gen IV平台，该平台支持先进的epi和专利设计技术，可简化制造过程。典型应用包括消费类、电源适配器、低功耗SMPS和照明。

特性

第四代科技
通过jedec认证的GaN技术
动态R(DS(on)eff)生产测试
稳健设计，定义如下:

宽栅极安全裕度
瞬态过电压能力

非常低的Q(RR)
降低交叉损耗

提高了硬开关和软开关电路的效率

提高功率密度
减小系统尺寸和重量
整体较低的系统成本

易于驱动与常用的栅极驱动器
GSD引脚布局改善了高速设计
符合rohs标准和无卤素包装

规范

650V漏源电压V(DSS)
800V瞬态漏源电压V(DSS(TR))
±18V栅极到源电压V(GSS)
13.2W最大功耗(PD) @T(C)=25℃
连续漏极电流I(D):

@T 3.6 (C) = 25°C
@T 2.3 (C) = 100°C

17A脉冲漏极电流IDM(脉冲宽度:10µs)
1.6V ~ 2.8V栅极阈值电压V(GS)范围
漏源极导通电阻:

480毫欧 ~ 560毫欧 (V(GS)=8V, I(D)=3.4A)
1000毫欧 (V(GS)=8V, I(D)=3.4A, T(J)=150℃)

典型电容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

760 pf输入
9 pf输出
1.5pF反向转移

充电(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 8V, I(D)=3.4A):

总栅极电荷9nC至24nC
2.1nC栅源和栅漏电荷

13.5nC输出电荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

应用程序

消费者
电源适配器

低功率SMPS
照明

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