具有低导通电阻的东芝SSM6N951L场效应晶体管FET的介绍及特性

来源：HQBUY 发布时间：2020-09-28

摘要： 东芝SSM6N951L场效应晶体管（FET）是2kV级HBM硅N沟道MOS型晶体管，具有低导通电阻。该晶体管提供12V的源极至源极击穿电压，±8V的栅极至源极电压以及150°C的通道温度。

东芝SSM6N951L场效应晶体管（FET）是2kV级HBM硅N沟道MOS型晶体管，具有低导通电阻。该晶体管提供12V的源极至源极击穿电压，±8V的栅极至源极电压以及150°C的通道温度。SSM6N951L FET符合RoHS和无卤素标准。该FET非常适用于电池保护开关电路。

东芝SSM6N951L场效应晶体管（FET）

4.4mΩ低导通电阻@ V GS = 4.5V

2kV HBM级

符合RoHS和无卤素

SSM6N951L场效应晶体管包装尺寸

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