安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET专为紧凑和高效的设计而设计，具有较高的热性能。该MOSFET具有低漏源电阻（R DS（on）），可最大程度地降低传导损耗，而Q G /电容低，可最大程度降低驱动器损耗。

NVMFS3D6N10MCL MOSFET符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能。该MOSFET采用尺寸为5mm x 6mm的小型DFN5扁平引线封装。典型应用包括48V系统，开关电源，电源开关（高侧驱动器，低侧驱动器和H桥）以及反向电池保护。

NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET特征

低R DS（on），以最小化传导损耗：

最大10V时为3.6mΩ

5.8mΩ在...上4.5V（最大）

100V漏源电压（V （BR）DSS）

132A最大漏极电流（I D）

低Q G和电容，可最大程度减少驱动器损耗

符合AEC-Q101和PPAP标准

小型DFN5封装，尺寸为5mm x 6mm

NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET应用领域

电磁驱动器的48V系统

用于电机控制的开关电源

电池反接保护

电源开关（高端驱动器，低端驱动器和H桥）

NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET效果图