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摘要： 通用150V, 3.9毫欧氮化镓(GaN)场效应管VQFN封装。
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN) FET是一种通用的150V, 3.9毫欧氮化镓(GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一种正常关闭的电子模式器件，提供卓越的性能和非常低的导通状态电阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄型四平面无引线封装(VQFN)。
增强模式-通常关闭电源开关
超高频开关能力
没有人二极管
低栅极电荷，低输出电荷
符合标准应用
RoHS，无铅，符合reach标准
高效率、高功率密度
极薄轮廓四平面无引线封装(VQFN) 4.0mm x 6.0mm
大功率密度高，功率转换效率高
交直流变换器(二级)
48v系统中的高频dc - dc转换器
电池快速充电，手机，笔记本电脑，平板电脑和USB type-C充电器
数据通信和电信(AC-to-DC和DC-to-DC)转换器
马达驱动器
激光雷达(非汽车)
D类音频放大器
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