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达尔科技ZABG4003, ZABG6003,和ZABG6004可编程耗尽模式FET偏置控制器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-10-21

摘要: 达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004提供先进的场效应晶体管保护,更高的性能,和低电流运行



达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004是低功耗,可编程耗尽模式FET偏置控制器,主要用于卫星低噪声块(lnb)。该器件设计为提供系统灵活性,可编程偏置多达四个(ZABG4003)或六个(ZABG6003/ZABG6004)低噪声放大器(LNA)级。偏置控制器工作在最小的电流只有1毫安,可以工作在2.1 V至5.5 V的供电电压,使他们理想的低功耗设计。小封装和减少组件数量,最大限度地减少PCB面积,同时提高整体LNB可靠性。


特性

  • 可编程GaAs场效应晶体管LNA

    • 为GaAs和HEMT FET LNAs提供至多4或6个独立偏倚阶段

    • 独立用户可编程的LNAs和有源混合器漏极电流

  • 工作电流小,电源范围宽,温度范围宽

    • 在-40°C至+105°C范围内运行2.1 V至5.5 V的导轨

    • 设计为3 V / 3.3 V / 5 V低功率LNBs

    • 允许对fet被关闭为智能LNB系统

  • 小而灵活的解决方案

    • 最小的应用电路,同时允许系统的灵活性

    • 封装在小3毫米x 3毫米的QFN封装为最小的PCB空间标准QSOP20


应用程序

  • Twin, quad和美国市场LNBs

  • PMR

  • 微波的链接

  • 一般高频通信

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