摘要: 达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004提供先进的场效应晶体管保护,更高的性能,和低电流运行
达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004是低功耗,可编程耗尽模式FET偏置控制器,主要用于卫星低噪声块(lnb)。该器件设计为提供系统灵活性,可编程偏置多达四个(ZABG4003)或六个(ZABG6003/ZABG6004)低噪声放大器(LNA)级。偏置控制器工作在最小的电流只有1毫安,可以工作在2.1 V至5.5 V的供电电压,使他们理想的低功耗设计。小封装和减少组件数量,最大限度地减少PCB面积,同时提高整体LNB可靠性。
特性
可编程GaAs场效应晶体管LNA
为GaAs和HEMT FET LNAs提供至多4或6个独立偏倚阶段
独立用户可编程的LNAs和有源混合器漏极电流
工作电流小,电源范围宽,温度范围宽
在-40°C至+105°C范围内运行2.1 V至5.5 V的导轨
设计为3 V / 3.3 V / 5 V低功率LNBs
允许对fet被关闭为智能LNB系统
小而灵活的解决方案
最小的应用电路,同时允许系统的灵活性
封装在小3毫米x 3毫米的QFN封装为最小的PCB空间标准QSOP20
应用程序
Twin, quad和美国市场LNBs
PMR
微波的链接
一般高频通信
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