ON Semiconductor安森美半导体AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT为硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。安森美半导体AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT符合AEC Q101标准，具有超低开关和导通损耗。

高速场终止型IGBT特性

符合AEC-Q101标准

最高结温TJ=175°C

具有正温度系数，便于并联工作

高电流能力

低饱和电压VCE(Sat)=1.6V（典型值）（IC=40A时）

零件100%经过ILM测试

快速开关

参数分布紧密

符合RoHS指令

高速场终止型IGBT应用

硬开关

直流-直流转换器

推拉输出电路无桥PFC

PTC

汽车

汽车用HEV-EV车载充电器

汽车用HEV-EV直流-直流转换器

高速场终止型IGBT规格参数

AFGHL40T65SQD

集电极-发射极电压：650V

栅极-发射极电压：±20V

瞬态栅极-发射极电压：±30V

集电极电流：40A（TC=100°C时）

集电极电流：80A（TC=25°C时）

脉冲集电极电流：160A

二极管正向电流：80A（TC=25°C时）

二极管正向电流：20A（TC=100°C时）

脉冲二极管最大正向电流：160A

最大功耗：238W（TC=25°C时）

最大功耗：119W（TC=100°C时）

工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C

焊接最高引线温度为300°C，外壳1/8"，持续5秒

AFGHL50T65SQD

集电极-发射极电压：650V

栅极-发射极电压：±20V

瞬态栅极-发射极电压：±30V

集电极电流：50A（TC=100°C时）

集电极电流：80A（TC=25°C时）

脉冲集电极电流：200A

二极管正向电流：80A（TC=25°C时）

二极管正向电流：30A（TC=100°C时）

脉冲二极管最大正向电流：200A

最大功耗：268W（TC=25°C时）

最大功耗：134W（TC=100°C时）

工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C

焊接最高引线温度为300°C，外壳1/8"，持续5秒

高速场终止型IGBT引脚图及封装