安森美半导体ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代场终止型IGBT，具有最佳性能。该IGBT可轻松实现并联运行，而且具有低导通和开关损耗。安森美半导体FGHL50T65SQDT IGBT非常适合用于低导通和开关损耗至关重要的应用。这些包括太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用。

FGHL50T65SQDT IGBT特性

正温度系数

低饱和电压VCE(sat)=1.47V（典型值）（IC=50A时）

具有正温度系数，便于并联工作

快速开关

最高结温TJ=175°C

高电流能力

零件100%经过ILM测试

高输入阻抗

精确的参数分配

无铅

符合RoHS指令

FGHL50T65SQDT IGBT应用

太阳能逆变器

UPS

焊接设备

ESS

功率因数校正

FGHL50T65SQDT IGBT规格参数

集电极-发射极电压：650V

栅极-发射极电压：±20V

瞬态栅极至发射极电压：±30V

集电极电流：100A（TC=25°C时）

集电极电流：50A（TC=25°C时）

200A脉冲集电极电流

二极管正向电流：75A（TC=25°C时）

二极管正向电流：50A（TC=25°C时）

脉冲二极管最大正向电流：300A

最大功耗：268W（TC=25°C时）

最大功耗：134W（TC=100°C时）

工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C

焊接最高引线温度为265°C，外壳1/8"，持续5秒

FGHL50T65SQDT IGBT引脚功能图