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STPSC31H12C-Y SIC二极管_参数_引脚图电路图及应用

来源: 发布时间:2020-07-23

摘要: STMicroelectronics STPSC31H12C-Y SIC二极管是一款超高性能功率肖特基整流器,采用TO-247封装,选用碳化硅基板制造而成。STPSC31H12C-Y二极管采用宽带隙材料,可以设计具有1200V额定电压的低VF肖特基二极管结构。

STMicroelectronics STPSC31H12C-Y SIC二极管是一款超高性能功率肖特基整流器,采用TO-247封装,选用碳化硅基板制造而成。STPSC31H12C-Y二极管采用宽带隙材料,可以设计具有1200V额定电压的低VF肖特基二极管结构。


得益于肖特基结构,STM STPSC31H12C-Y SIC二极管在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。


STPSC31H12C-Y能够提高硬开关条件下的性能,因此非常适合用于PFC和二次侧应用。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。



STPSC31H12C-Y SIC二极管特性


符合AEC-Q101标准

无反向恢复或可忽略不计

与温度无关的开关特性

坚固的高压外设

支持PPAP

工作温度范围Tj:-40°C至175°C

符合ECOPACK 2



STPSC31H12C-Y SIC二极管应用


OBC(车载电池充电器)

PHEV - EV充电站

谐振LLC拓扑

PFC功能(功率因数校正器)



STPSC31H12C-Y SIC二极管引脚图及应用电路图


STPSC31H12C-Y SIC二极管引脚图及应用电路图

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