STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有沟槽栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级VCE(sat) 优化导通。STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT在100A IC时具有1.55V（典型值）低 VCE(sat)。

ST STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT包括反向并联的超快软恢复二极管。因此，STGWA100H65DFB2专门设计用于最大限度地提高效率，适合用于各种快速应用。

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT特性

最高结温：TJ=175 °C

低VCE(sat)=1.55V（IC=100A时典型值）

超快软恢复并联二极管

最小拖尾电流

参数分布紧密

低热阻

正VCE(sat)温度系数

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT应用

焊接

功率因数校正

UPS

太阳能逆变器

充电器

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT引脚功能图