摘要: 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)CBTU02044高速差分1对2开关经过优化,可与服务器和客户端应用程序的PCIe4.0接口。该高性能开关IC还可以用于其他高速接口,例如PCIe-Gen4,MIPI,DP1.4和DDR。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)CBTU02044高速差分1对2开关经过优化,可与服务器和客户端应用程序的PCIe4.0接口。该高性能开关IC还可以用于其他高速接口,例如PCIe-Gen4,MIPI,DP1.4和DDR。通过从两个差分端口之一(端口B或C)中选择1(端口A)作为输出,CBTU02044还可以用作2比1 MUX。
恩智浦半导体CBTU02044采用1.6mm x 2.4mm x 0.5mm HUQFN16封装,非常适合空间受限的应用。
优化的高速信号完整性
最小化串扰以满足严格的PCIe4.0要求
两路差分通道1对2切换/ 2对1多路复用器
低插入损耗(典型值):100MHz时为0.56dB; 在5GHz时为1.1dB;在8GHz时为1.5dB
低断态隔离度:100MHz -70dB,5GHz -23dB,8GHz -18dB
低回波损耗(典型值):2.5GHz时21dB; 5GHz时为18dB;8GHz时为15dB
低导通电阻:10Ω(典型值)
3dB带宽(典型):17GHz(典型)
DDNEXT <-50dB @ 8GHz
DDFEXT <-48dB @ 8 GHz时
0V至2V共模输入电压(V IC)
<1.6V差分输入电压(V ID)
<4ps对内偏斜
1.62V至3.63V电源电压范围(V DD)
低电流消耗
对于主动模式=200μA(典型值)
节能=3μA(典型值)
CMOS SEL和XSD引脚
这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护
正在申请专利的高性能模拟通过门技术
所有通道均支持轨到轨输入电压(最高2.4V)
静电放电(ESD)等级
2000V人体模型(HBM)
1000V充电设备型号(CDM)
-10°C至+ 85°C的工作温度范围
1.6mm x 2.4mm x 0.5mm HUQFN16封装,间距为0.4mm
企业服务器
资料中心
PCIe Gen 4存储
基站
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