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摘要： IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET的额定击穿电压为600V，连续漏极电流为14A，电阻为250mΩ。这些MOSFET具有雪崩防护等级，并提供国际标准封装，高功率密度和低封装电感。
IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET的额定击穿电压为600V，连续漏极电流为14A，电阻为250mΩ。这些MOSFET具有雪崩防护等级，并提供国际标准封装，高功率密度和低封装电感。IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET是DC-DC转换器，PFC电路，机器人技术，伺服控制以及开关模式和谐振模式电源的理想选择。
国际标准包装
低R DS（ON）和Q G
雪崩等级
低封装电感
高功率密度
易于安装
节省空间
开关模式和谐振模式电源
DC-DC转换器
PFC电路
交流和直流电动机驱动器
机器人和伺服控制
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