Wolfspeed / Cree HM3 1200V高性能半桥模块是全碳化硅，经过开关优化的低电感半桥模块，尺寸小巧（110mm x 65mm x 12.2mm）。HM3组件实现了开关优化的第三代SiC MOSFET技术。轻巧的62mm兼容ALSiC基板可进行系统改造。其他功能包括+ 175°C的结温和高可靠性的氮化硅绝缘子。HM3高性能半桥模块非常适合铁路/牵引，太阳能，EV充电器和工业自动化/测试应用。

Wolfspeed / Cree HM3 1200V高性能半桥模块特征

轻巧，紧凑的外形尺寸以及兼容62mm的轻量AlSiC基板，可进行系统改造

由于SiC的低开关和传导损耗，提高了系统效率

高可靠性材料选择

低电感和薄型

高结温（+ 175°C）操作

实现开关优化的第三代SiC MOSFET技术

高可靠性氮化硅绝缘子

Wolfspeed / Cree HM3 1200V高性能半桥模块应用领域

铁路和牵引

太阳能的

电动汽车充电器

工业自动化和测试

Wolfspeed / Cree HM3 1200V高性能半桥模块技术指标

1200V漏源电压

栅源电压

-8V至+ 19V最大值

-4V至+ 15V推荐运算值

开关条件下的最高虚拟结温为-40°C至+ 175°C

场效应管

1200V漏源击穿电压

0.47Ω或0.8Ω内部栅极电阻

电容

43.1nF或79.4nF输入

2.76nF或2.9nF输出

70.7pF至90pF反向传输电容

收费

栅极到源极为448nC或79.4nC

539nC或924nC栅极到漏极

1590nC或2724nC总门

二极管

28ns或49ns反向恢复时间

4.5μC或17.0μC反向恢复电荷

270A或540A峰值反向恢复电流

模组

封装电阻

106.5μΩ M1

126.3μΩ M2

4.8nH至4.9nH的杂散电感

外壳温度+ 125°C

重量179g至180g

4kV外壳隔离电压