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Wolfspeed / Cree WAB BM3半桥模块具有1200V的漏源电压,300A至400A的连续漏源电流范围以及5.2mΩ的最大电阻额定值。WAB BM3模块提供了行业标准的62mm占地面积,低电感设计以及氮化硅绝缘体和铜基板结构。
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
Wolfspeed / Cree HM3双通道差分隔离栅极驱动器经过优化,可与HM3 1200V高性能半桥模块一起使用。CGD1700HB3P-HM3栅极驱动器通过3W板载隔离式电源提供高频,超快速开关操作。
Wolfspeed / Cree HM3 1200V高性能半桥模块是全碳化硅,经过开关优化的低电感半桥模块,尺寸小巧(110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3组件实现了开关优化的第三代SiC MOSFET技术。
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