安森美半导体NTMFS0D8N02P1E MOSFET采用先进的SO-8FL 5mm x 6mm封装，具有紧凑的设计，出色的热性能和较小的占位面积。这种单N沟道MOSFET具有低Q G /电容，以最大程度地降低驱动器损耗，并提供超低的R DS（on），  以最小化传导损耗。NTMFS0D8N02P1E MOSFET是DC-DC转换器，电源负载开关，电机控制，电池管理，笔记本和台式PC，服务器，电信，计算和通信设备的理想选择。

NTMFS0D8N02P1E MOSFET特征

小尺寸（5mm x 6mm），采用先进的SO-8FL技术实现紧凑设计

低R DS（on）以最小化传导损耗

出色的热性能

低Q G和电容，可最大程度减少驱动器损耗

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS的设备

NTMFS0D8N02P1E MOSFET应用领域

DC-DC转换器

电力负荷开关

电机控制

电池管理

笔记本电脑和台式电脑

电信，服务器

计算和通讯设备

NTMFS0D8N02P1E MOSFET配置