东芝TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管（SBD）是第二具有改进的结阻挡层控制的肖特基结构（JBS）芯片设计的新一代碳化硅（SiC）SBD。这些器件具有高浪涌电流能力和低损耗特性，并且具有非重复的峰值正向浪涌电流额定值。TRSxxN65FB二极管使用TO-247封装，并提供12A，16A，20A和24A四个正向直流电流额定值（两个支路），以支持设备功率的增加。薄晶圆技术可确保低正向电压和低开关损耗。典型应用包括功率因数校正（PFC），太阳能逆变器，服务器不间断电源（UPS），通信设备，多功能打印机，DC-DC转换器以及电动汽车的供电设施。

TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管特征

2 第二代的SiC肖特基势垒二极管与所述改进的结势垒控制肖特基结构（JBS）芯片设计

650V重复峰值反向电压（V RRM）

高浪涌电流能力和低损耗特性

通孔，3引脚TO-247封装（15.94mm×20.95mm×5.02mm）

高非重复峰值正向浪涌电流额定值：

I FSM  （每条腿）/（两条腿）= 52A / 104A（TRS12N65FB）

I FSM  （每条腿）/（两条腿）= 65A / 130A（TRS16N65FB）

I FSM  （每条腿）/（两条腿）= 79A / 158A（TRS20N65FB）

I FSM  （每条腿）/（两条腿）= 92A / 184A（TRS24N65FB）

低结电容（典型值）：

C j （每脚）= 23pF（TRS12N65FB）

Cj（每脚）= 30pF（TRS16N65FB）

Cj（每脚）= 38pF（TRS20N65FB）

Cj（每脚）= 46pF（TRS24N65FB）

低正向电压：

V ?F  （每腿）= 1.45V（典型）@I ?F = 6A（TRS12N65FB）

V ?F  （每腿）= 1.45V（典型）@I ?F = 8A（TRS16N65FB）

V ?F  （每腿）= 1.45V（典型）@I ?F = 10A（TRS20N65FB）

V ?F  （每腿）= 1.45V（典型）@I ?F = 12A（TRS24N65FB）

低反向电流（典型值）：

I R  （每脚）= 0.3μA（TRS12N65FB）

I R（每脚）= 0.4μA（TRS16N65FB）

I R（每支）= 0.5μA（TRS20N65FB）

I R（每支）= 0.6μA（TRS24N65FB）

TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管应用领域

工业设备电源：

乙ASE站

PC服务器

电动汽车和激光束机的供电设备

消费类设备电源：

有机EL电视

音频放大器

投影机

多功能打印机

TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管JBS技术功能图