安森美半导体NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET具有150V的漏源电压（V （BR）DSS）和低开关噪声/ EMI。这些器件具有低Q G和电容，以最大程度地减少驱动器损耗，而低R DS（on）则  可以将传导损耗最小化。NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC MOSFET采用无铅，无卤素/无BFR且符合RoHS的D2PAK7封装。典型的应用包括电动工具，电池供电的真空吸尘器，无人机/无人机，物料搬运，BMS /存储，家庭自动化，工业叉车和牵引力控制系统。

NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET特征

低R DS（on）以最小化传导损耗

低Q G和电容，可最大程度减少驱动器损耗

降低巫术噪音/ EMI

符合AEC-Q101要求的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用（仅限NVBGSxDxN15MC）

鸥翼可提高板级可靠性（仅NVBGSxDxN15MC）

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS的D2PAK7封装

NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET应用领域

NTBGS4D1N15MC和NTBGS6D5N15MC：

电动工具和电池供电的吸尘器

无人机/无人机和物料搬运

BMS /存储和家庭自动化

牵引力控制系统和工业叉车

NTBGS6D5N15MC和NVBGS6D5N15MC：

开关电源

电源开关（高端驱动器，低端驱动器，H桥等）

电池反接保护 

电磁驱动器（ABS，燃油喷射）

电机控制（WPS，雨刮器，风扇，座椅等）

负载开关（ECU，底盘，车身）

NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET配置图