德州仪器（TI）UCC21736-Q1单通道栅极驱动器是电隔离的单通道栅极驱动器，设计用于最高2121V DC工作电压的SiC MOSFET和IGBT 。该设备具有先进的保护功能，一流的动态性能和耐用性。德州仪器（TI）UCC21736-Q1具有高达±10A的峰值源电流和灌电流。输入侧通过SiO 2电容隔离技术与输出侧隔离，支持高达1.5kV RMS的工作电压，12.8kV PK浪涌抗扰度，具有超过40年的隔离势垒寿命，并提供了较低的部件间偏斜，以及> 150V / ns的共模抗扰性（CMTI）。

UCC21736-Q1包含最新的保护功能，例如快速过流和短路检测，并联电流检测支持以及故障报告。它还带有有源米勒钳位，输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关性能和鲁棒性。ASC功能可用于在系统故障期间强制接通电源，从而进一步提高了驱动器的通用性，并简化了系统设计工作，尺寸和成本。

UCC21736-Q1单通道栅极驱动器特征

5.7kV RMS单通道隔离式栅极驱动器

符合AEC-Q100的汽车应用要求

最高2121V pk的 SiC MOSFET和IGBT

33V最大输出驱动电压（VDD-VEE）

±10A驱动强度和分离输出

最低150V / ns CMTI

270ns响应时间快速过流保护

外部主动铣刀钳

发生故障时900mA软关断

隔离侧的ASC输入可在系统故障期间打开电源开关

在电流过大时发出FLT警报并从RST / EN复位

在RST / EN上快速启用/禁用响应

在输入引脚上抑制<40ns的噪声瞬变和脉冲

12V VDD UVLO和-3V VEE UVLO，在RDY上电源正常

具有过冲/欠冲瞬态电压的输入/输出抗扰度高达5V

130ns（最大）传播延迟和30ns（最大）脉冲/部分偏斜

SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙> 8mm

工作结温–40°C至150°C

UCC21736-Q1单通道栅极驱动器应用领域

电动汽车牵引逆变器

车载充电器和充电桩

HEV / EV的DC-DC转换器

UCC21736-Q1单通道栅极驱动器功能结构图