BS170是采用TO-92封装的著名N沟道MOSFET。它可以用于切换和放大目的。当用作开关时，它可以驱动500mA的负载。它能够执行快速切换，并能够在7纳秒左右的时间内切换负载，因此可以在高速电路中使用。由于它是便携式和电池供电应用的理想MOSFET，因此它在低压下也能表现良好。除此之外，它还可以用作放大器，并且可以在音频放大器电路中使用，也可以用于任何通用信号放大要求。

功能/技术规格

封装类型：  TO-92
晶体管类型：  N通道
从漏极到源极施加的最大电压：  60V
栅极至源极的最大电压应为：± 20V
最大持续漏极电流为：  500mA
最大脉冲漏极电流为：500mA
最大功耗为：830mW
传导所需的最低电压：0.8V
最高存储和工作温度应为：  -55至+150摄氏度

替代及等效

2N7000、2N7002，IRFZ44（此处显示的替代MOSFET的引脚配置可能与BS170不同，因此建议在更换电路之前检查其引脚配置）。

在哪里使用它以及如何使用

BS170可用于任何通用开关和放大目的，可用作驱动500mA以下负载的开关，此负载电流足以驱动大多数继电器，灯，LED等。此外，它还可用于arduino和raspberry pi等微控制器和平台的输出来驱动负载。

另一方面，它也可用作音频放大器，用于音频放大器阶段，低电平信号放大等。MOSFET的接线与我们为BJT晶体管接线几乎相同。在MOSFET中，栅极用于控制晶体管，而在BJT中它是基极，但是BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。MOSFET的栅极需要少量电压来控制流过其漏极至源极的电流。

应用范围

快速切换

在500mA以下切换或驱动负载

音频放大和前置放大

微控制器输出

IC输出

各种信号放大

如何在电路中安全地长期运行

为了从电路中的BS170 MOSFET获得长期稳定的性能，请不要驱动超过60V和500mA的负载。栅极至源极电压应低于±20V，并且不要在低于-55摄氏度和高于+155摄氏度的温度下运行和存储晶体管。