2N7000_N沟道MOSFET可用于音频和其他信号放大目的_技术规格_应用范围

来源：HQBUY 发布时间：2020-09-15

摘要： 2N7000是采用TO-92封装的著名N沟道MOSFET。与作为电流控制器件的BJT晶体管不同，MOSFET是通过在其栅极上施加电压来控制的器件。MOSFET技术的主要特点之一是该晶体管需要非常少的输入电流或不需要输入电流来控制负载，因此MOSFET非常适合用作放大器。2N7000还具有所有这些功能，因此可以在许多通用开关应用中使用，例如，最大连续漏极电流为200mA，足以驱动LED，继电器，大功率晶体管以及电子电路中的其他组件和设备。需要200mA以下的电流。此外，当用作放大器时，它还可以提供良好的性能，因此您可以将其用于音频和其他信号放大目的。

2N7000是采用TO-92封装的著名N沟道MOSFET。与作为电流控制器件的BJT晶体管不同，MOSFET是通过在其栅极上施加电压来控制的器件。MOSFET技术的主要特点之一是该晶体管需要非常少的输入电流或不需要输入电流来控制负载，因此MOSFET非常适合用作放大器。2N7000还具有所有这些功能，因此可以在许多通用开关应用中使用，例如，最大连续漏极电流为200mA，足以驱动LED，继电器，大功率晶体管以及电子电路中的其他组件和设备。需要200mA以下的电流。此外，当用作放大器时，它还可以提供良好的性能，因此您可以将其用于音频和其他信号放大目的。

2N7000功能/技术规格

封装类型： TO-92
晶体管类型： N通道
从漏极到源极施加的最大电压： 60V
栅极至源极的最大电压应为：± 20V
最大持续漏极电流为： 200mA
最大脉冲漏极电流为：500mA
最大功耗为：400mW
传导所需的最低电压：8 V
最高存储和工作温度应为： -55至+150摄氏度

2N7000_P通道互补

2N7000的P通道补充是BS250。

2N7000的替代型号

BC170、2N7002，IRFZ44（这些晶体管的引脚配置可能与2N7000不同，因此请在更换电路之前检查其引脚配置）。

2N7000的使用方法

使用MOSFET与使用BJT晶体管几乎相同。栅极需要很小的电压来控制流过其漏极至源极的电流。在BJT中，基极端子控制晶体管的输出，而在MOSFET中，栅极端子控制MOSFET的输出。但应牢记的一件重要事情是，BJT的电导率由施加于其基极的输入电流控制，而MOSFET的电导率则由施加于其栅极的电压控制。