摘要: GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅上GaN功率器件。这些晶体管具有GaN的特性,可提供大电流,高压击穿和非常高的开关频率。
GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅上GaN功率器件。这些晶体管具有GaN的特性,可提供大电流,高压击穿和非常高的开关频率。该GS6100x晶体管使用岛科技单元布局,以提供高电流模,产量高。它们还具有GaNPX 包装即具有低导电性和低热阻小包装。GS6100x晶体管为大功率应用提供了非常低的结壳热阻。所有这些功能组合在一起即可提供非常高效的电源开关。
100V增强模式功率晶体管
超低FOM IslandTechnology
低电感GaNPX封装
快速可控的下降和上升时间
反向传导能力
底部和顶部冷却配置
零反向恢复损耗
0V至6V栅极驱动范围
-20V至10V瞬态耐受栅极驱动范围
很高的开关频率
7mΩ至16mΩRDS(ON)
90A至38A IDS(ON)
不间断电源(UPS)
工业电机驱动器
机器人技术
无线电源传输
快速电池充电
D类放大器
储能系统
AC / DC转换器(次级侧)
牵引传动
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