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GS6100x 100V E-HEMT晶体管,可提供大电流、高压击穿和非常高的开关频率

来源:HQBUY 发布时间:2020-09-22

摘要: GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅上GaN功率器件。这些晶体管具有GaN的特性,可提供大电流,高压击穿和非常高的开关频率。

GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管的介绍


GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅上GaN功率器件。这些晶体管具有GaN的特性,可提供大电流,高压击穿和非常高的开关频率。该GS6100x晶体管使用岛科技单元布局,以提供高电流模,产量高。它们还具有GaNPX 包装即具有低导电性和低热阻小包装。GS6100x晶体管为大功率应用提供了非常低的结壳热阻。所有这些功能组合在一起即可提供非常高效的电源开关。


GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管



GS6100x 100V E-HEMT晶体管特征


100V增强模式功率晶体管

超低FOM IslandTechnology

低电感GaNPX封装

快速可控的下降和上升时间

反向传导能力

底部和顶部冷却配置

零反向恢复损耗

0V至6V栅极驱动范围

-20V至10V瞬态耐受栅极驱动范围

很高的开关频率

7mΩ至16mΩRDS(ON)

90A至38A IDS(ON)



GS6100x 100V E-HEMT晶体管应用领域


不间断电源(UPS)

工业电机驱动器

机器人技术

无线电源传输

快速电池充电

D类放大器

储能系统

AC / DC转换器(次级侧)

牵引传动


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