意法半导体STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET的介绍

意法半导体STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET是一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和优化的开关特性。该功率MOSFET是使用MDmesh M2技术开发的。STN6N60M2 MOSFET提供极低的栅极电荷和出色的输出电容（C oss）曲线。该功率MOSFET受齐纳保护，并经过100％雪崩测试。STN6N60M2 MOSFET是开关应用的理想选择。

STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET特征

极低的栅极电荷

出色的输出电容（Coss）曲线

经过100％雪崩测试

齐纳保护

STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET技术指标

±25V GS栅极源电压

5.5 A漏极电流@ T C = 25°C

TC = 100°C时3.5A漏极电流

8A漏极电流（脉冲）

总功耗6W

-55°C至150°C的工作结温范围

STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET引脚图