STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET的介绍

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET受齐纳保护，经过100％雪崩测试的N沟道功率MOSFET适合开关应用。与上一代产品相比，这些功率MOSFET具有出色的开关性能，低栅极输入电阻和较低的每单位面积R DS（on）。STO67N60DM6功率MOSFET是一种快速恢复的体二极管，结合了非常低的恢复电荷（Q rr）和恢复时间（t rr），并具有最有效的开关性能。STO67N60M6功率MOSFET是LLC转换器和升压PFC转换器的理想选择。

STO67N60x MDmesh功率MOSFET特征

降低开关损耗（STO67N60M6）

快速恢复体二极管（STO67N60DM6）

低栅极输入电阻（STO67N60M6）

低栅极电荷，输入电容和电阻（STO67N60DM6）

经过100％雪崩测试

齐纳保护

极高的dv / dt耐用性（STO67N60DM6）

高爬电距离封装（STO67N60M6）

出色的开关性能

STO67N60x MDmesh功率MOSFET应用领域

切换应用

LLC转换器（STO67N60M6）

升压PFC转换器（STO67N60M6）

STO67N60x MDmesh功率MOSFET引脚结构图