英飞凌科技CoolSiC MOSFET

英飞凌CoolSiC MOSFET建立在最先进的沟槽半导体工艺之上，该工艺经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。TO和SMD外壳中的分立式CoolSiC产品组合具有650V，1200V和1700V电压等级，导通电阻范围为27mΩ至1000mΩ。CoolSiC沟槽技术可实现灵活的参数设置，该参数集用于在各个产品组合中实现特定于应用程序的功能。这些功能包括栅极-源极电压，雪崩规格，短路能力或额定用于硬换向的内部二极管。

采用分立封装的Infineon CoolSiC MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，例如功率因数校正（PFC）电路，双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。即使在桥拓扑中的关断电压为零伏时，出色的抗寄生干扰效应也可在低动态损耗方面树立标杆。Infineon TO和SMD产品带有开尔文（Kelvin）源引脚，可优化开关性能。

英飞凌通过一系列满足特定超快SiC MOSFET开关功能需求的驱动器IC产品，完善了SiC分立产品。CoolSiC MOSFET和EiceDRIVER栅极驱动器IC一起利用了SiC技术的优势：提高了效率，节省了空间和重量，减少了零件数量，并增强了系统可靠性。

CoolSiC MOSFET技术特点

?出色的栅极氧化物可靠性

?稳定，坚固的体二极管?出色的

硬开关拓扑结构（例如伺服驱动器）

     ?开关速度最快时开关损耗最低

     ?强大的抗寄生导通效应使其设计简单

     ?短路额定值为3μs

?Excel具有软开关拓扑结构，例如EV充电

     ?开关损耗最低，易于设计

     ?可以采用0V关断功能

CoolSiC MOSFET应用领域应用优势

?太阳能应用中的CoolSiC MOSFET

     ?在相同逆变器重量下将逆变器功率加倍?

     与基于Si的替代品相比，在高工作温度下效率降低明显更少

     ?功率密度提高了2.5倍

     ?显示出最大效率超过99％

?储能系统中的CoolSiC MOSFET

     ?减少多达50％的损耗

     ?在不增加电池尺寸的情况下将能源最多增加2％

?服务器和电信电源中的CoolSiC?MOSFET

     ?减少多达30的损耗％

     ?达到的密度翻倍

? EV充电中的CoolSiC MOSFET

     ?

     减少一半的充电时间?减少50％的组件数量却提高了效率

     ?由于效率更高而降低了拥有成本

     ?减少了冷却工作

xEV应用

?主逆变器的好处

     ?电池利用率提高了5-10％

     ?增加了功率密度，系统尺寸减小了80％

     ?与Si-IGBT相比，在轻载条件下降低了传导损耗

?板载充电器的好处

     ?可以实现较小的双向三相充电器

     ?通过更快的开关速度帮助缩小无源组件的尺寸

     ?在PFC和DC-DC阶段提高效率高达1％

? HV DC-DC转换器的优势

     ?提供更高的开关频率

     ?增强功率密度

     ?提高集成度

CoolSiC MOSFET应用领域