安森美半导体NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET是采用先进的PowerTrench产生结合了屏蔽栅极技术的过程。该MOSFET使用同类最佳的软体二极管将导通状态电阻降至最低，并维持卓越的开关性能。NTMFS011N15MC MOSFET具有低导通电阻（R DS（on））和栅极电荷（Q g）。该MOSFET降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。典型应用包括同步整流（SR），AC-DC和DC-DC电源，AC-DC适配器（USB PD）SR和负载开关。

NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET特征

屏蔽栅极MOSFET技术

低R DS（on）以最小化传导损耗

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

Q rr比其他MOSFET供应商低50％

降低开关噪声/ EMI

MSL1坚固的包装设计

经过100％非钳位电感开关（UIL）测试

NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET应用领域

同步整流

AC-DC和DC-DC电源

AC-DC适配器（USB PD）SR

负荷开关

隔离式DC-DC电源中的主MOSFET

NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET效果图