安森美半导体NTP5D0N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET的介绍

安森美半导体NTP5D0N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是N沟道MOSFET，提供优化的开关性能。该MOSFET具有低反向恢复电荷（Q rr）和软二极管，可实现出色的低噪声开关。

NTP5D0N15MC MOSFET具有较低的开关尖峰和电磁干扰（EMI）的高效率。该MOSFET改善了开关品质因数（FOM）。典型应用包括用于ATX /服务器/电信PSU的同步整流，电机驱动器，不间断电源（UPS）和微型太阳能逆变器。

NTP5D0N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET特征

屏蔽栅极MOSFET技术

优化的开关性能

在V GS = 10V和I D = 97A时，最大5mΩR DS（on）

Q rr比其他MOSFET低50％

降低开关噪声/ EMI

经过100％非夹紧感应负载（UIL）测试

150V漏源电压（V DSS）

139A最大漏极电流（I D）

NTP5D0N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET应用领域

同步整流：

扩展的先进技术（ATX）

服务器

电信产品/服务更新（PSU）技术

马达驱动

UPS

微型太阳能逆变器

NTP5D0N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET效果图